Cum să utilizați un multimetru pentru a testa modulul igbt
1. Judecata de polaritate
Mai întâi, setați multimetrul la blocul R×1K. Când se măsoară cu multimetrul, dacă valoarea rezistenței unui anumit pol și a celorlalți doi poli este infinită, iar valoarea rezistenței polului și a celorlalți doi poli este încă infinită după schimbarea cablurilor de testare, atunci se consideră că poarta a acestui pol (G ). Cei doi poli rămași sunt măsurați cu un multimetru. Dacă rezistența măsurată este infinită, rezistența măsurată este mai mică după schimbarea cablurilor de testare. Într-o măsurătoare a valorii mici a rezistenței, se apreciază că cablul de testare roșu este conectat la colector (C); cablul de testare negru este conectat la emițător (E).
2. Judecând bine sau rău
Rotiți multimetrul la blocul R×10K, conectați cablul de testare negru la colectorul (C) al IGBT și conectați cablul de testare roșu la emițătorul (E) al IGBT. În acest moment, indicatorul multimetrului este la zero. Atingeți poarta (G) și colectorul (C) cu degetele în același timp, în acest moment IGBT este declanșat să conducă, indicatorul multimetrului se balansează în direcția rezistenței mai mici și poate sta și indica la o anumită poziție. Apoi atingeți poarta (G) și emițătorul (E) cu degetele în același timp, în acest moment IGBT-ul este blocat, iar indicatorul multimetrului revine la zero. În acest moment, se poate aprecia că IGBT-ul este bun.
3. Orice multimetru indicator poate fi folosit pentru a detecta IGBT
Rețineți că atunci când judecați dacă IGBT este bun sau rău, multimetrul trebuie setat la treapta R×10K. Deoarece tensiunea internă a bateriei multimetrului de sub angrenajul R×1K este prea scăzută, IGBT-ul nu poate fi pornit atunci când se testează dacă este bun sau rău și este imposibil să se judece dacă IGBT-ul este bun sau rău. . Această metodă poate fi folosită și pentru a detecta dacă tranzistorul cu efect de câmp de putere (P-MOSFET) este bun sau rău.
Detectarea modulului IGBT invertor:
Rotiți multimetrul digital în poziția de testare a diodei și testați caracteristicile diodei înainte și inversă între modulul IGBT c1 e1, c2 e2 și între poarta G și e1, e2 pentru a aprecia dacă modulul IGBT este intact.
Luați ca exemplu modulul cu șase faze. Îndepărtați firele fazelor U, V și W de pe partea de sarcină, utilizați unitatea de testare a diodei, conectați cablul de testare roșu la P (colector c1) și măsurați U, V, W în secvență cu cablul de testare negru și multimetrul va afișa valoarea maximă; Conectați cablul de testare la P, măsurați U, V și W cu cablul de testare roșu, iar multimetrul va afișa o valoare de aproximativ 400. Apoi conectați cablul de testare roșu la N (emițătorul e2), măsurați U, V și W cu cablul de testare negru, iar multimetrul va afișa o valoare de aproximativ 400; conectați cablul de test negru la P, măsurați U, V și W cu cablul de test roșu, iar multimetrul va afișa valoarea maximă. Caracteristicile înainte și inversă ale fiecărei faze ar trebui să fie aceleași. Dacă există o diferență, înseamnă că performanța modulului IGBT s-a deteriorat și ar trebui înlocuit. Când modulul IGBT este deteriorat, are loc doar un scurtcircuit de defecțiune.
Cablurile de testare roșii și negre, respectiv, măsoară caracteristicile pozitive și negative dintre grila G și emițătorul E, iar valorile măsurate de multimetru sunt de maxim două ori și se poate aprecia că poarta modulului IGBT este normală. Dacă este afișată o valoare numerică, performanța electrodului de poartă este deteriorată, iar modulul trebuie înlocuit. Când rezultatele testelor pozitive și negative sunt zero, înseamnă că poarta de fază detectată a fost defectată și scurtcircuitată. Când poarta este deteriorată, tubul regulator de tensiune care protejează poarta plăcii de circuit se va defecta și se va deteriora.
