Cum se utilizează un multimetru pentru a detecta calitatea tuburilor de efect de câmp?
Datorită prezenței unei diode de amortizare între poli DS de MOSFET -uri utilizate frecvent, performanța MOSFET -urilor poate fi determinată prin utilizarea nivelului diodei unui multimetru digital pentru a detecta scăderea tensiunii diodei între poli DS. Metoda de detectare detaliată este următoarea.
Rotiți comutatorul de viteze al multimetrului digital la modul diodă, conectați sonda roșie la polul S și sonda neagră la polul D. În acest moment, ecranul multimetrului va afișa valoarea de scădere a tensiunii diodei dintre poli DS. Valoarea de scădere a tensiunii tranzistoarelor cu efect de câmp de mare putere este de obicei între 0. 4 și 0. 8v (mai ales în jurul 0. 6v); Nu ar trebui să existe nicio scădere de tensiune între sonda neagră conectată la polul S, sonda roșie conectată la polul D și polul G și alți pini (de exemplu, într-un tranzistor cu efect de câmp N-canal, un tranzistor de câmp P-Channel ar trebui să aibă o valoare de scădere a tensiunii atunci când sonda roșie este conectată la polul D, iar sonda neagră este conectată la poloneul S). Dimpotrivă, indică faptul că tranzistorul cu efect de câmp a fost deteriorat.
Tranzistoarele cu efect de câmp sunt de obicei deteriorate de defalcare și, în acest caz, pinii sunt de obicei într-o stare de scurtcircuit. Prin urmare, valoarea scăderii tensiunii dintre pini ar trebui să fie, de asemenea, OV. După fiecare măsurare a tranzistorului de efect de câmp MOS, se va percepe o cantitate mică de taxă pe condensatorul de joncțiune GS, stabilind un UGS de tensiune. Când se măsoară din nou, sonda nu poate să se miște (dacă utilizați un multimetru digital, eroarea de măsurare va fi mare). În acest moment, scurtcircuitul terminalelor GS pe scurt.
Deteriorarea tranzistoarelor cu efect de câmp este de obicei cauzată de defalcare și de scurtcircuit. În acest moment, măsurând cu un multimetru, pinii sunt de obicei interconectați. După ce tranzistorul cu efect de câmp este deteriorat, în general nu există o deteriorare evidentă a aspectului. Pentru tranzistoarele cu efect de câmp deteriorat de deteriorare, acesta poate exploda.
