Cum se rezolvă problema radiației excesive a unității de alimentare cu comutație
Comutarea tensiunii de alimentare, rata de schimbare a curentului este foarte mare, rezultând o intensitate mai mare a interferenței; sursele de interferență sunt concentrate în principal în perioada de comutare a puterii și conectate la radiatorul și la transformatorul de nivel înalt, în raport cu locația sursei de interferență a circuitului digital este mai clară; frecvența de comutare nu este mare (de la zeci de kHz și câțiva megaherți), principala formă de interferență este interferența de conducție și interferența în câmp apropiat.
Punctele de frecvență individuale specifice peste soluție sunt după cum urmează:
În interval de 1 MHz:
Interferența în modul diferențial este principala 1. Creșteți capacitatea X; 2. Adăugați inductanță în modul diferenţial; 3. Sursa de alimentare mică poate fi utilizată procesarea filtrului de tip PI (se recomandă ca condensatorii electrolitici din apropierea transformatorului să poată fi selectați mai mari).
1 milion-5MHz:
Amestecare în mod diferențial în mod comun, folosind partea de intrare și o serie de condensatoare X pentru a filtra interferența diferențială de atingere și pentru a analiza ce fel de interferență depășește standardul și pentru a o rezolva;
5MHz:
Mai sus de interferența tactilă comună este în principal, folosind metoda de suprimare a atingerii comune. Pentru shell împământat, în linia de sol cu un inel magnetic în jurul valorii de 2 cercuri va fi mai mult de 10MHZ interferență are o atenuare mai mare (diudiu2006); pentru 25 - 30MHZ, dar poate fi folosit pentru a crește capacitatea Y la pământ, în transformatorul din afara cuprului pâine, schimbați PCBLAYOUT, linia de ieșire în fața conexiunii unui cu două fire și înfășurarea unui mic inel magnetic, cel puțin 10 rotiri în jurul capetelor tubului redresor de ieșire și a filtrului RC.
1 milion-5MHZ:
Amestecare în modul diferențial în mod comun, folosind partea de intrare în paralel cu o serie de capacități X pentru a filtra interferența diferențială și a analiza ce interferență depășește standardul și pentru a rezolva problema, 1. Pentru interferența în modul diferențial depășește standardul poate fi ajustat la capacitatea X, adăugați un inductor în mod diferențial, inductanță în mod diferențial; 2. Pentru interferența în modul comun depășește standardul poate fi adăugat la inductanța în modul comun, alegerea unei cantități rezonabile de inductanță pentru a inhiba; 3. Puteți modifica caracteristicile diodei redresoare pentru a face față unei perechi de diode rapide, cum ar fi FR107 o pereche de diode redresoare obișnuite 1N4007.
Peste 5 MHz:
Interferența de atingere comună este cea principală și este utilizată metoda de suprimare a atingerii comune.
Pentru shell-ul împământat, în linia de masă cu un șir inel magnetic în jurul valorii de 2-3 ture va fi mai mult de 10MHZ interferența are un efect de atenuare mai mare; poate alege să lipească folie de cupru imediat după miezul transformatorului, buclă închisă folie de cupru. Ocupați-vă de circuitul de absorbție a redresorului de ieșire back-end și de dimensiunea capacității de șunt a circuitului mare primar.
Pentru 20 M-30MHz:
1. Pentru o clasă de produse poate fi folosit pentru a ajusta capacitatea Y2 la masă sau pentru a schimba poziția condensatorului Y2;
2. Reglați poziția capacității Y1 și valoarea parametrului între părțile primar și secundar;
3. Încărcați folie de cupru pe exteriorul transformatorului; adăugați un strat de ecranare la stratul cel mai interior al transformatorului; reglați dispunerea înfășurărilor transformatorului.
4. Schimbați aspectul PCB;
5. Linie de ieșire în fața conexiunii unei înfășurări paralele cu două fire a unui mic inductor de mod comun;
6. Redresor de ieșire în paralel cu ambele capete ale filtrului RC și ajustați parametrii rezonabili;
7. Adăugați BEADCORE între transformator și MOSFET;
8. Adăugați un mic condensator la pinul de tensiune de intrare al transformatorului.
9. Poate fi folosit pentru a crește rezistența de antrenare MOS.
30 M-50MHz:
1. În general, cauzată de pornirea/oprirea de mare viteză a tubului MOS, poate fi rezolvată prin creșterea rezistenței de antrenare MOS, circuitul tampon RCD folosind tubul lent 1N4007, tensiunea de alimentare VCC cu tubul lent 1N4007.
2. Circuit tampon RCD folosind tub lent 1N4007;
3. Tensiune de alimentare VCC cu tub lent 1N4007 de rezolvat;
4. Sau capătul frontal al liniei de ieșire în serie cu o înfășurare paralelă cu două fire a unui mic inductor de mod comun;
5. Conectați un mic circuit de absorbție în paralel cu pinul DS al MOSFET-ului;
6 . Adăugați BEADCORE între transformator și MOSFET;
7. Adăugați un mic condensator la pinul de tensiune de intrare al transformatorului;
8. DISPOSARE PCB atunci când condensatorul electrolitic mare, transformatorul, MOS constituie bucla de circuit cât mai mică posibil;
9. transformatorul, dioda de ieșire, condensatorul electrolitic cu undă plată de ieșire constituie inelul de circuit cât mai mic posibil.
